TSM7N90CI C0G
Производитель Номер продукта:

TSM7N90CI C0G

Product Overview

Производитель:

Taiwan Semiconductor Corporation

Номер детали:

TSM7N90CI C0G-DG

Описание:

MOSFET N-CH 900V 7A ITO220AB
Подробное описание:
N-Channel 900 V 7A (Tc) 40.3W (Tc) Through Hole ITO-220AB

Инвентаризация:

1974 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12898712
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

TSM7N90CI C0G Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Taiwan Semiconductor
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
900 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.9Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1969 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
40.3W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
ITO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Базовый номер продукта
TSM7N90

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,000
Другие названия
-2068-TSM7N90CIC0GDKR-DG
-2068-TSM7N90CIC0GDKR
TSM7N90CI C0G-DG
-2068-TSM7N90CIC0GDKRINACTIVE
TSM7N90CIC0G
-2068-TSM7N90CIC0G

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
diodes

DMN61D8L-7

MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23

taiwan-semiconductor

TSM2305CX RFG

MOSFET P-CHANNEL 20V 3.2A SOT23

taiwan-semiconductor

TSM60NB600CH C5G

MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO251

diodes

BS107PSTOA

MOSFET N-CH 200V 120MA E-LINE